联电宣布在新加坡设立22纳米新厂

2月24日，联华电子股份有限公司宣布，董事会通过在新加坡Fab12i厂区扩建一座崭新的先进晶圆厂计划。新厂第一期的月产能规划为30000片晶圆，预计于2024年底开始量产，有助纾解产业趋势带动的芯片短缺。

 

 

联电这座新厂(Fab12i P3)是新加坡最先进的半导体晶圆代工厂之一，提供22/28纳米制程，总投资金额为50亿美元。联华电子在新加坡投入12吋晶圆制造厂的营运已超过20年，新加坡Fab12i厂也是联电的先进特殊制程研发中心。加计Fab12i 的扩建计划，联电在2022年的资本支出预算将提高至36亿美元。

 

由于5G、物联网和车用电子大趋势的带动，对联电 22/28纳米制程需求的前景强劲，因此新厂所扩增的产能也签订了长期的供货合约，以确保2024年后对客户产能的供应。新厂生产的特殊制程技术，如嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性内存、RFSOI及混合信号CMOS等，在智能型手机、智能家庭设备和电动车等广泛应用上至为关键。我们期望这座新厂能在满足这些市场强劲的需求上扮演重要角色，特别是协助纾解22/28奈米晶圆产能结构性的短缺。

 

 

联电董事长洪嘉聪表示：”非常高兴能够扩大联电在新加坡的12吋晶圆厂营运，这将使联电的制造能量进一步朝多元化迈进。在过去的二十年里，联电受益于新加坡透过完善的基础设施、产业链以及人力资源来吸引高科技公司的愿景。新加坡Fab12i厂是联电的旗舰创新中心，与客户合作新的研发项目并将在新厂上线后立刻投入生产。近期半导体供应短缺已明确点出半导体供应链必须提高透明度，共同降低风险。此次扩厂投资是联电与重要客户朝共同目标紧密合作的成果，我们将会在提升供应链产能与创造客户的长期成功上，尽最大的努力。”

 

原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：联电宣布在新加坡设立22纳米新厂